0.15uf 250v 1206 154K贴片电容
详细描述
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业务经理：刘东
手电容机：料号152170型号57671电压
微电容信：料号150520型号54791电压
Q料号Q：料号67580规格0364
陶瓷贴片电容的作用：
在直流电路中，电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是常用的电子元件之一。
这得从电容器的结构上说起。简单的电容器是由两端的极板和中间的**缘电介质（包括空气）构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的**缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对**缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是**缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做**缘体看。陶制电容器
但是，在交流电路中，因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而电容器充放电的过程是有时间的，这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化的函数。实际上，电流是通过场的形式在电容器间通过的。
在中学阶段，有句话，就叫通交流，阻直流，说的就是电容的这个性质。
贴片电容的特性：
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构**有**的机械性强度及**性
3.极高的度，在进行自动装配时有高度的**性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强**性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高**性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
**缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
陶瓷贴片电容适用于高压直流电源模块、电力电源模块、永磁电机驱动电器
充电监控模块、移动电源充电系统 （替换CBB电容 替换铝电解电容）
1812 224 400V
2220 224 1KV
1808 221 1KV
1808 102 1KV
2220 224 1KV
业务经理：刘东
手电容机：料号152170型号57671电压
微电容信：料号150520型号54791电压
Q料号Q：料号67580规格0364
陶瓷贴片电容的作用：
在直流电路中，电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是常用的电子元件之一。
这得从电容器的结构上说起。简单的电容器是由两端的极板和中间的**缘电介质（包括空气）构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的**缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物质都是相对**缘的，当物质两端的电压加大到一定程度后，物质是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，就不是**缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做**缘体看。陶制电容器
但是，在交流电路中，因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而电容器充放电的过程是有时间的，这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是随时间变化的函数。实际上，电流是通过场的形式在电容器间通过的。
在中学阶段，有句话，就叫通交流，阻直流，说的就是电容的这个性质。
贴片电容的特性：
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构**有**的机械性强度及**性
3.极高的度，在进行自动装配时有高度的**性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强**性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高**性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
**缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
陶瓷贴片电容适用于高压直流电源模块、电力电源模块、永磁电机驱动电器
充电监控模块、移动电源充电系统 （替换CBB电容 替换铝电解电容）
1812 224 400V
2220 224 1KV
1808 221 1KV
1808 102 1KV
2220 224 1KV
高压贴片电容的特性：
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构**有好的的机械性强度及**性
3.好的的精度，在进行自动装配时有高度的**性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强**性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高**性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
**缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者**小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
高压贴片电容特性：
1.等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低，与同等钽电容或者铝电解电容相比，ESR小几十倍，能量利用率高，发热小，价格低。 2.品种，规格齐**，体积小。容量从10pF到47uF，耐压从10V-6000V，体积**小可以达到1X0.5mm.
3.无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路，而且装配更为方便。
4.性能稳定，即使被击穿也不会燃烧，安**性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
低容量电容NP0材料（10-6800pF）：适用频率1-100MHz
1.温度系数：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
2.电容量漂移：不超过±0.3％或±0.05pF（取较大者）。
3.老化特性：无
高容量电容X7R材料（6800pF以上）：适用频率不超过10KHz
1.温度特性：不超过±15％，-55℃～125℃。
2.老化特性：每10年变化1％ΔC，表现为10年变化约5％。
工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
降额设计
设计者在选用电容器工作电压时，应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为**产品及线路的**性，在实际设计时建议降额使用
使用注意事项
工作温度
电容器设计类别温度范围有?55℃～125℃、?55℃～85℃两种，设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命，推荐工作温度限制在低于上限类别温度10℃～15℃。设计者考虑电容器的
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构**有好的的机械性强度及**性
3.好的的精度，在进行自动装配时有高度的**性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强**性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高**性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
**缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者**小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
高压贴片电容特性：
1.等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低，与同等钽电容或者铝电解电容相比，ESR小几十倍，能量利用率高，发热小，价格低。 2.品种，规格齐**，体积小。容量从10pF到47uF，耐压从10V-6000V，体积**小可以达到1X0.5mm.
3.无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路，而且装配更为方便。
4.性能稳定，即使被击穿也不会燃烧，安**性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
低容量电容NP0材料（10-6800pF）：适用频率1-100MHz
1.温度系数：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
2.电容量漂移：不超过±0.3％或±0.05pF（取较大者）。
3.老化特性：无
高容量电容X7R材料（6800pF以上）：适用频率不超过10KHz
1.温度特性：不超过±15％，-55℃～125℃。
2.老化特性：每10年变化1％ΔC，表现为10年变化约5％。
工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
降额设计
设计者在选用电容器工作电压时，应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为**产品及线路的**性，在实际设计时建议降额使用
使用注意事项
工作温度
电容器设计类别温度范围有?55℃～125℃、?55℃～85℃两种，设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命，推荐工作温度限制在低于上限类别温度10℃～15℃。设计者考虑电容器的